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        實驗室概況

        實驗室概況

        • 分類:無分類內容
        • 發布時間:2018-06-27 00:00:00
        • 訪問量:0
        概要:
        概要:
        詳情

        寬禁帶半導體材料山西省重點實驗室成立于2016年,2017年經山西省科技廳批準建設山西省重點實驗室,是中國電子科技集團公司第二研究所的主要依托單位。實驗室第一屆學術委員會主任為國家科學進步獎獲得者太原理工大學原副校長許并社教授,實驗室主任為中國電子科技集團公司王英民高級專家。

        中國電科二所從2007年開始從事SiC單晶裝備研究,在國家相關部委的支持下,通過艱苦攻關,立足自主研發與技術引進相結合,歷時10余年,全面掌握了SiC單晶爐研制、高純粉料制備及SiC單晶生長等多項關鍵技術。目前已投入1億元建設了5800m2寬禁帶半導體材料、設備研發檢測中心,其中寬禁帶材料生長加工實驗室2800m2、寬禁帶半導體核心設備設計中心1000 m2、寬禁帶材料薄膜制備實驗室1000 m2、材料缺陷、性能分析測試中心1000 m2。在試驗場所建設的基礎上,為了支撐試驗的開展,實驗室組建了從粉料合成、單晶生長、加工、清洗封裝到外延薄膜制備的研究中試線。為了研究材料中缺陷形成、衍變及補償機理,掌握缺陷形成和衍變的一般規律,引進了高分辨XRD射線衍射儀、半絕緣電阻率測試儀、晶圓平坦度測試儀、萊卡透射應力顯微鏡、原子力顯微鏡、激光拉曼光譜儀、偏光顯微鏡等分析測試手段。

        實驗室設備精良,現已擁有國際先進水平的PVT物理仿真軟件,可以通過有限元仿真獲得坩堝溫場分布、物質傳輸等物理參數指導實驗設計。機械結構設計采用Solidworks三維CAD軟件,電路版圖設計軟件采用Protel軟件,管理采用Office組件和Project項目管理軟件,電路設計仿真則采用ADS軟件,實驗室累積投資超過2500萬元。

        根據寬禁帶半導體材料發展趨勢,結合國家在資源、能源、環境以及國防領域中的戰略需求,以SiC半導體材料及設備為主要研究對象,開展針對于SiC半導體設備制造、單晶生長加工以及薄膜制備的核心科學技術問題研究,并逐步擴展至其他寬禁帶半導體材料領域,加強基礎研究與應用研究的結合,取得一批以寬禁帶半導體材料設備、襯底及薄膜材料為特色的具有國內領先水平的技術成果,搭建山西省寬禁帶半導體材料試驗測試及超硬材料加工公共平臺,為我省乃至我國培養高層次的從事寬禁帶半導體材料相關研究和技術推廣的人才。

        經過3~5年努力,圍繞“寬禁帶半導體材料制備”研究方向,將實驗室建設成為本領域集應用基礎和高新技術研究、關鍵設備研制開發、高端人才培養及高技術產業孵化為一體的研究基地,在科技創新水平和人才培養質量方面居國內前列、科技成果在若干研究領域居國內領先水平,極大帶動我省半導體行業技術水平的整體提高,有力促進我省經濟轉型跨越發展。

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